[发明专利]电容结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811146010.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970401B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王晓玲;王中磊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容结构的形成方法，其中该电容结构的第一上电极层采用交替循环通入第一气体和第二气体于所述第一介电层上沉积反应形成，每个所述循环包括：通入第一气体进行沉积反应，持续第一时长；通入第一惰性气体进行吹扫，持续第二时长；通入第二气体进行沉积反应，持续第三时长；通入第二惰性气体进行吹扫，持续第四时长；其中所述第一时长分别小于所述第二时长和第四时长，所述第三时长分别小于所述第二时长和第四时长。本发明的电容结构能够更好的适应外界环境温度的变化，不易因热胀冷缩而变形。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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