[发明专利]一种功率半导体器件封装结构及封装方法

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件封装结构，该封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，功率芯片设置于下垫片上；上垫片设置于功率芯片上；上垫片的尺寸不小于下垫片的尺寸，且上垫片的尺寸与下垫片的尺寸的差异小于预设差值；下框架设置于功率芯片和下垫片之间，下框架与功率芯片的终端区粘接，通过实施本发明，有效地减小了功率半导体器件封装时芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效，提高了功率半导体器件的可靠性；另一方面减小甚至消除了芯片终端和下框架之间的间隙，显著增加了芯片的耐压等级，满足电力系统对器件电压等级的要求。

主权项

1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：至少一个封装子模组，所述封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，所述功率芯片设置于所述下垫片上；所述上垫片设置于所述功率芯片上；所述上垫片的尺寸不小于所述下垫片的尺寸，且所述上垫片的尺寸与所述下垫片的尺寸的差异小于预设差值；所述下框架设置于所述功率芯片和所述下垫片之间，所述下框架与所述功率芯片的终端区粘接。