[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 201811147295.X | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109065564B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 何延强;林宗德;黄仁德;李晓明 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:衬底,衬底包括第一像素区和第二像素区;位于第一像素区衬底表面用于通过单色光的第一滤光层;位于第二像素区衬底表面的用于透过自然光的第二滤光层;位于第一像素区的第一抗反射结构,第一抗反射结构包括第一抗反射涂层和第二抗反射涂层中的一者或两者,第一抗反射涂层位于第一滤光层与衬底之间,第二抗反射涂层位于第一滤光层上;位于第二像素区的第二抗反射结构,第二抗反射结构的厚度小于第一抗反射结构,第二抗反射结构包括第三抗反射涂层和第四抗反射涂层中的一者或两者,第三抗反射涂层位于第二滤光层与衬底之间,第四抗反射涂层位于第二滤光层上。所述图像传感器的性能得到提高。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括第一像素区和第二像素区;位于第一像素区衬底表面的第一滤光层,所述第一滤光层用于通过单色光,所述第一滤光层具有第一面和第二面,所述第一面朝向衬底;位于第二像素区衬底表面的第二滤光层,所述第二滤光层用于透过自然光,所述第二滤光层具有第三面和第四面,所述第三面朝向衬底;位于第一像素区表面的第一抗反射结构,所述第一抗反射结构包括第一抗反射涂层和第二抗反射涂层中的一者或两者,所述第一抗反射涂层位于第一滤光层第一面与衬底之间,所述第二抗反射涂层位于第一滤光层第二面上;位于第二像素区表面的第二抗反射结构,所述第二抗反射结构的厚度小于第一抗反射涂结构,所述第二抗反射结构包括第三抗反射涂层和第四抗反射涂层中的一者或两者,所述第三抗反射涂层位于第二滤光层第三面与衬底之间,所述第四抗反射涂层位于第二滤光层第四面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的