[发明专利]图像传感器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201811147295.X 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109065564B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 何延强;林宗德;黄仁德;李晓明 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:衬底,衬底包括第一像素区和第二像素区;位于第一像素区衬底表面用于通过单色光的第一滤光层;位于第二像素区衬底表面的用于透过自然光的第二滤光层;位于第一像素区的第一抗反射结构,第一抗反射结构包括第一抗反射涂层和第二抗反射涂层中的一者或两者,第一抗反射涂层位于第一滤光层与衬底之间,第二抗反射涂层位于第一滤光层上;位于第二像素区的第二抗反射结构,第二抗反射结构的厚度小于第一抗反射结构,第二抗反射结构包括第三抗反射涂层和第四抗反射涂层中的一者或两者,第三抗反射涂层位于第二滤光层与衬底之间,第四抗反射涂层位于第二滤光层上。所述图像传感器的性能得到提高。
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括第一像素区和第二像素区;位于第一像素区衬底表面的第一滤光层,所述第一滤光层用于通过单色光,所述第一滤光层具有第一面和第二面,所述第一面朝向衬底;位于第二像素区衬底表面的第二滤光层,所述第二滤光层用于透过自然光,所述第二滤光层具有第三面和第四面,所述第三面朝向衬底;位于第一像素区表面的第一抗反射结构,所述第一抗反射结构包括第一抗反射涂层和第二抗反射涂层中的一者或两者,所述第一抗反射涂层位于第一滤光层第一面与衬底之间,所述第二抗反射涂层位于第一滤光层第二面上;位于第二像素区表面的第二抗反射结构,所述第二抗反射结构的厚度小于第一抗反射涂结构,所述第二抗反射结构包括第三抗反射涂层和第四抗反射涂层中的一者或两者,所述第三抗反射涂层位于第二滤光层第三面与衬底之间,所述第四抗反射涂层位于第二滤光层第四面上。
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