[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201811147900.3 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109065565B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;林宗德;何延强 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面到基底第一面的距离小于第四面到基底第一面的距离；对所述基底第二面进行减薄，直至暴露出所述第一离子层的第四面表面；湿法刻蚀工艺去除所述第一离子层，在所述基底内形成背面深沟槽。所述方法形成的图像传感器性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面到基底第一面的距离小于第四面到基底第一面的距离；对所述基底第二面进行减薄，直至暴露出所述第一离子层的第四面表面；湿法刻蚀工艺去除所述第一离子层，在所述基底内形成背面深沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
