[发明专利]金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置在审
| 申请号： | 201811147906.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585652A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 胡振国;杨昶丰;林浩雄;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;胡振国 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑金属(MISIM)装置，包括半导体层、设置在半导体层的上表面上的绝缘层、设置在半导体层的与上表面相反的下表面上的背电极以及设置在绝缘层上并且彼此间隔开的第一电极和一第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体层 绝缘层 上表面 金属 半导体 第二电极 第一电极 金属装置 背电极 下表面 | ||
【主权项】：
1.一种金属‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑金属装置，包括：一半导体层；一绝缘层，设置在所述半导体层的一上表面上；一背电极，设置在所述半导体层的与所述上表面相反的一下表面上；以及一第一电极和一第二电极，设置在所述绝缘层上，并且所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开。
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