[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 201811147920.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970502A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 袁愿林;刘伟;毛振东;刘磊 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一组相邻的第一栅沟槽和第二栅沟槽；位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽之间的体区；位于所述体区中的源区；分别位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽中的栅介质层和控制栅；位于所述体区上方的一个源极接触孔，所述源极接触孔延伸至所述第一栅沟槽上方，所述体区、所述源区和所述第一栅沟槽中的控制栅均通过所述源极接触孔中的源极金属层外接源极电压。本发明可以减小半导体功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，从而可以提高半导体衬底的掺杂浓度，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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