[发明专利]一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置在审

专利信息
申请号: 201811148646.9 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109449073A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 张如根 申请(专利权)人: 蚌埠市龙子湖区金力传感器厂
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;C30B33/12
代理公司: 安徽力澜律师事务所 34127 代理人: 王际复;吕晓璐
地址: 233000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明是涉及传感器的技术领域,具体是涉及一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴;反应室外侧设置有电磁线圈;反应室内壁固定连接有分气盒,分气盒上端固定连接有与分气盒连通的一组进气管,分气盒内壁均匀的开设有出汽孔;分气盒内壁上端固定连接有进气盒,进气盒与送气管道连通,进气盒上固定连接有与进气盒连通的若干组出气管,进气管与一组出气管连通,本发明具有使用方便、提高刻蚀效果等优点。
搜索关键词: 分气盒 反应室 进气盒 连通 室外部 传感器 单晶硅 刻蚀装置 上端固定 送气管道 出气管 进气管 内壁 反应室内壁 抽气管道 电磁线圈 刻蚀效果 伺服电机 外侧设置 轴线位置 出汽孔 气源室 上端部 输出轴 下端部 真空泵 片架
【主权项】:
1.一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴;所述反应室外侧设置有电磁线圈;其特征在于:所述反应室内壁固定连接有分气盒,所述分气盒上端固定连接有与分气盒连通的一组进气管,所述分气盒内壁均匀的开设有出汽孔;所述分气盒内壁上端固定连接有进气盒,所述进气盒与送气管道连通,所述进气盒上固定连接有与进气盒连通的若干组出气管,所述进气管与一组出气管连通。
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