[发明专利]一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺

摘要

本发明公开了一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺。硅单晶切片后通过1000目砂轮进行第一次粗倒角去除边缘切片加工的损伤，然后进行研磨和腐蚀，使硅片具备了较好的边缘质量；通过背封二氧化硅对表面进行保护，避免了第二次倒角时吸盘和砂轮造成的表面损伤和沾污，同时高温过程也释放了边缘的应力；采用2000目砂轮进行第二次精倒角，使倒角面幅达到最大并具备了更为精细的表面，通过50%氢氧化钾溶液轻腐蚀去除表面损伤和边缘应力，得到最佳的倒角边缘质量。本发明简单、易于实现，可有效提高硅单晶抛光片的倒角边缘区域质量。

主权项

1.一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：硅单晶切割成硅片后先进行第一次粗倒角加工，然后对硅片进行研磨、化学腐蚀，硅片在研磨、腐蚀之后采用背封二氧化硅作为表面保护层，然后进行第二次精倒角，精倒角之后采用碱溶液进行轻腐蚀，在保护表面不受沾污的同时最大限度的增加抛光片倒角面幅、避免边缘损伤的产生，其工艺为：（1）、将硅单晶进行外径滚圆，滚圆直径：151.2±0.2mm；（2）、将硅单晶进行多线切割，切片厚度：1100μm±20μm；（3）、采用全自动倒角机对硅切片进行粗倒角，圈去除量0.2mm；（4）、采用氧化铝粉进行双面研磨，研磨去除量为50±5μm；（5）、采用酸腐蚀工艺进行双面腐蚀，腐蚀去除量为30±5μm；（6）、采用LPCVD工艺双面背封二氧化硅，背封温度700℃，二氧化硅层厚度：3000±1000Å；（7）、采用全自动倒角机对双面背封二氧化硅的硅片进行第二次精倒角，圈去除量0.1mm；（8）、采用浓度50%±5%氢氧化钾溶液进行碱腐蚀；（9）、采用浓度49%±10%氢氟酸溶液腐蚀掉表面二氧化硅，清洗后进行单面抛光。