[发明专利]一种功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811149873.3 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109166805A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市心版图科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种功率器件的制造方法，包括以下步骤：提供一个晶圆，所述晶圆上具有阱区、自所述阱区的上表面向下延伸的有源区及形成于所述阱区的上表面露出所述有源区的初始氧化层；在所述有源区的上表面形成厚栅氧层；进行所述功率器件开启电压调节注入形成注入区，所述注入区自所述有源区的上表面向下延伸；去除位于所述有源区的上表面的所述厚栅氧层；在所述有源区的上表面形成薄栅氧层；形成所述功率器件的多晶硅栅极；制作源区与漏区得到所述功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 源区 功率器件 阱区 向下延伸 厚栅氧 注入区 晶圆 多晶硅栅极 薄栅氧层 开启电压 氧化层 制作源 漏区 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S10：提供一个晶圆，所述晶圆上具有阱区、自所述阱区的上表面向下延伸的有源区及形成于所述阱区的上表面露出所述有源区的初始氧化层；步骤S20：在所述有源区的上表面形成厚栅氧层；步骤S30：进行所述功率器件开启电压调节注入形成注入区，所述注入区自所述有源区的上表面向下延伸；步骤S40：去除位于所述有源区的上表面的所述厚栅氧层；步骤S50：在所述有源区的上表面形成薄栅氧层；步骤S60：形成所述功率器件的多晶硅栅极；步骤S70：制作源区与漏区得到所述功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
