[发明专利]一种光电二极管芯片及其制备方法在审
申请号: | 201811150039.6 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109148664A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘格;杨彦伟;刘宏亮;陆一锋 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种光电二极管芯片,包括基片,基片上设有光敏面和电极层;电极层包括电极环和电极焊盘,电极环围绕光敏面设置,电极焊盘与电极环电连接;基片包括与电极焊盘位置相对的第一外边缘,光敏面包括与电极焊盘位置相对的第一光敏边缘,第一光敏边缘与第一外边缘之间的间距一致;一种光电二极管芯片的制备方法,包括如下步骤:S1:外延层生长;S2:在外延层表面生长钝化膜;S3:在外延层表面形成扩散区孔;S4:通过扩散区孔进行Zn扩散,形成扩散区;S5:在外延层表面生长增透膜;S6:形成电极接触孔;S7:蒸镀电极层;S8:形成电极环和电极焊盘;S9:在外延层背面蒸发背面电极;S10:切割成单颗光电二极管芯片。 | ||
搜索关键词: | 电极焊盘 光电二极管芯片 电极环 外延层表面 电极层 光敏面 扩散区 位置相对 外边缘 外延层 光敏 制备 生长 电极接触孔 背面电极 间距一致 电连接 钝化膜 增透膜 蒸镀 背面 切割 蒸发 | ||
【主权项】:
1.一种光电二极管芯片,其特征在于:包括基片,所述基片上设有光敏面和电极层;所述电极层包括电极环和电极焊盘,所述电极环围绕所述光敏面设置,所述电极焊盘与所述电极环电连接;所述基片包括与所述电极焊盘位置相对的第一外边缘,所述光敏面包括与所述电极焊盘位置相对的第一光敏边缘,所述第一光敏边缘与所述第一外边缘之间的间距一致。
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