[发明专利]一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201811150347.9 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109402653B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李国强;徐珍珠;高芳亮;张曙光;温雷;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25B11/093 | 分类号： | C25B11/093;C25B11/059;C25B1/04 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 ingan 纳米 au 粒子 复合 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构，其特征在于，包括Si衬底（1），生长在Si衬底（1）上的AlN缓冲层（2），生长在AlN缓冲层（2）上的InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构（3）。
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