[发明专利]生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201811150381.6 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109037371A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强;徐珍珠;高芳亮;张曙光;温雷;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L33/32;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高，成本低，有利于解决器件散热的问题，降低器件成本；其次，本发明采用的Al衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，简化了器件的制备工艺；本发明制备生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱的方法，具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，而且本发明制备的(In)GaN纳米柱具有晶体质量好、缺陷密度低和应力弛豫等特点，可用于制备发光二极管、光电探测器和太阳能电池等。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 纳米柱 生长 发光二极管 光电探测器 太阳能电池 导电性能 降低器件 应力弛豫 制备工艺 热导率 电极 散热 可用 应用 | ||
【主权项】：
1.生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱，其特征在于，包括Al衬底（1），生长在Al衬底（1）上的AlN缓冲层（2），生长在AlN缓冲层（2）上的(In)GaN纳米柱（3）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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