[发明专利]一种基于带宽扩展交叉编址的双端口SRAM访问控制系统及方法

摘要

本发明公开了一种基于带宽扩展交叉编址的双端口SRAM访问控制系统及方法，系统包括片内存储体、2个片选生成单元、交叉编址访问处理单元、数据对齐控制单元、数据拼接单元和容量可变缓存区，方法包括主机访问控制接口访问方法和多硬件访问控制接口的访问方法。通过片内存储体、数据对齐单元和交叉编址访问单元实现多块双端口SRAM同一时刻的并行访问节省了时间，实现了对片内存储体的紧致存储，达到了对存储空间最高效的利用，避免了同时访问冲突问题，最大化地保证了全系统的高效工作；同时，本发明设计结构简单清晰，控制灵活高效，多设备访问交叉编址通用性强，可变带宽访问便于移植，易于实施，可广泛应用于嵌入式系统芯片及专用集成电路中。

主权项

1.一种基于带宽扩展交叉编址的双端口SRAM访问控制系统，其特征在于，包括多硬件访问控制接口访问控制系统和主机访问控制接口访问控制系统；双端口SRAM的一端口为主机访问控制接口的专用访问端口，另一端口由多个硬件访问控制接口共享；其中，多硬件访问控制接口访问控制系统包括片内存储体、第一片选生成单元、交叉编址访问处理单元、数据对齐控制单元和容量可变缓存区；其中：片内存储体选用若干个双端口SRAM进行并行组拼，并统一编址；第一片选生成单元用于根据多个硬件访问控制接口提供的访问地址通过译码产生访问片选；交叉编址访问处理单元用于对SRAM多个硬件接口共享的端口的访问冲突监测和处理，保证多接口访问的先后顺序；数据对齐控制单元用于对访问数据进行带宽扩展和数据拼接；容量可变缓存区用于缓存需要进行带宽扩展的访问数据，便于数据进行带宽扩展。