[发明专利]一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法

摘要

一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法属于半导体技术领域，解决了AlGaN探测器在高电场下性能崩塌，难以实现雪崩探测的问题。该方法包括如下步骤：选择蓝宝石、硅、碳化硅等用于氮化物外延的衬底材料；在步骤一所述的衬底材料上制作AlN模板；在步骤二所述的AlN模板制作Al组分从1逐渐变为0.4的p型AlGaN层，温度从1300℃梯度减小到1200℃变化；在步骤三所述的p型AlGaN层上制作Al组分为0.4的本征AlGaN层结构，温度保持在1200℃；在步骤四所述的本征AlGaN层结构上制作Al组分从0.4逐渐变为1的n型AlGaN层，温度保持在1200℃，三甲基镓梯度减小；在p型AlGaN层和n型AlGaN层分别制备电极，并且在电极上加负偏压，实现低电压下雪崩倍增。本发明具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。

主权项

1.一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：/n步骤一：选择用于氮化物生长的材料作为衬底；/n步骤二：在步骤一所述的衬底材料上生长AlN模板；/n步骤三：在步骤二所述的AlN模板制作Al组分从1逐渐变为0.4的p型AlGaN层，温度从1300℃到1200℃变化；/n步骤四；在步骤三所述的p型AlGaN层上制作Al组分为0.4的本征AlGaN层结构，温度保持在1200℃；/n步骤五：在步骤四所述的本征AlGaN层结构上制作Al组分从0.4逐渐变为1的n型AlGaN层，温度保持在1200℃；/n步骤六：在p型AlGaN层和n型AlGaN层分别制备电极，并且在电极上加负偏压，实现低电压下雪崩倍增。/n