[发明专利]GaN基横向超结器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811153660.8 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110970499B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；GaN基横向超结器件还包括复数个间隔设置的P型半导体，P型半导体分布在栅极下方；P型半导体形成于第一半导体上，且源极或漏极与P型半导体连接或不连接，或者，P型半导体形成于第二半导体上，且在相邻两个P型半导体之间以及在所述P型半导体与源极或漏极中的任意一者之间还形成有高阻半导体。本发明提供的GaN基横向超结器件，击穿电压高、比导通电阻小；制作工艺简单，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | gan 横向 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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