[发明专利]检查半导体材料的方法与分析半导体材料的方法和系统有效
| 申请号： | 201811154900.6 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109387494B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 托尔斯滕·特鲁普克;约尔根·韦伯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;李子光 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及检查半导体材料的方法与分析半导体材料的方法和系统。一种用于分析包括发射极和基极的半导体材料的线扫描方法，包括以下步骤：利用来自光源的第一照射来照射材料的第一部分，第一照射适于从材料产生光致发光响应；利用图像采集装置检测从材料的第二部分发射的光致发光，其中，第一部分和第二部分至少部分地重叠；跨越材料的区域扫描第一部分和第二部分；以及询问图像采集装置以获取从材料的总的扫描区域发射的光致发光的第一图像，其中，第一照射的强度被选择为使得存在从第一部分出来的光生电荷载流子的显著横向流动。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 半导体材料 方法 分析 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于分析包括发射极和基极的半导体材料的线扫描方法，所述方法包括以下步骤：利用来自光源的第一照射来照射所述材料的第一部分，所述第一照射适于从所述材料产生光致发光响应；利用图像采集装置检测从所述材料的第二部分发射的光致发光，其中，所述第一部分和所述第二部分至少部分地重叠；跨越所述材料的区域扫描所述第一部分和所述第二部分；以及询问所述图像采集装置以获取从所述材料的总的扫描区域发射的光致发光的第一图像，其中，所述第一照射的强度被选择为使得存在从所述第一部分出来的光生电荷载流子的显著横向流动。
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