[发明专利]一种单原子氢传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811155786.9 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109490367A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨生胜;黄一凡;甄小娟;张剑锋;黄文超;张晨光;庄建宏;乔佳;薛玉雄 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李爱英;郭德忠 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单原子氢探测及传感器的制备方法，该原子氢传感器以过渡金属钒(V)作为单原子氢传感器的敏感层；金属电极作为传感器的测试电极；Si3N4作为阻挡层，防止高能H穿透敏感层；并在下方设置温控电极，稳定传感器的工作温度，满足了空间环境或其他环境原子氢探测的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 单原子氢 敏感层 原子氢 制备 探测 稳定传感器 测试电极 过渡金属 金属电极 空间环境 温控电极 阻挡层 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种单原子氢传感器，其特征在于，包括敏感层(1)、温控层(2)、阻挡层(3)、基底(4)以及电极(5)，自上而下依次为电极(5)、敏感层(1)、温控层(2)、阻挡层(3)以及基底(4)，其中所述温控层(2)嵌入阻挡层(3)中；所述敏感层材料为过渡金属V；所述阻挡层用于防止高能H进入温控层(2)，同时防止高能H原子穿过敏感层。
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