[发明专利]一种基于PHEMT的霍尔电阻的制作方法

摘要

本发明提供了基于PHEMT的霍尔电阻的制作方法：1)准备由层叠设置的基层、沟道层和帽层组成的外延层；2)在帽层上沉积一层SiN；3)在欧姆合金的位置上将光阻打开，对SiN层和帽层进行蚀刻；5)在光阻打开的位置对沟道层注入Si；6)光阻剥离；接着整体再覆盖一层SiN；7)在需要隔断的区域打开光阻，帽进行离子注入，离子注入后光阻剥离；将Si注入区域的光阻打开，蚀刻掉SiSiN，蒸镀欧姆合金金属；蒸镀后剥离光阻；8)整体再覆盖第三SiN层，将欧姆合金顶部的光阻打开；蚀刻合金顶部的SiSiN，形成via孔；9)在Via上蒸镀金属；10)整体沉积SiSiN，作为顶部钝化层，在pad上开孔作为输入/输出端。

主权项

1.一种基于PHEMT的霍尔电阻的制作方法，其特征在于包括如下步骤：1)准备外延层，所述外延层具有层叠设置的基层、沟道层和帽层，所述沟道层和帽层没有掺杂；2)在帽层上沉积一层SiN；3)在SiN层上覆盖光阻，通过黄光工艺，在即将做欧姆合金的位置，打开光阻；4)在光阻打开的区域将SiN层和帽层进行蚀刻，从而将沟道层暴露在开孔中；5)对沟道层注入Si；6)注入Si后，剥离光阻，整体覆盖一层SiN，形成第二SiN层，高温退火；7)将需要隔断的区域帽进行离子注入；8)通过黄光工艺，将Si注入区域的光阻打开；9)将光阻打开区域的SiSiN蚀刻掉；10)蒸镀欧姆合金金属，剥离光阻，回火形成欧姆合金；11)整体覆盖第三SiN层，将欧姆合金顶部的SiSiN蚀刻掉，形成Via孔；12)在Via孔上蒸镀金属做金属连线；13)整体做顶层钝化，在pad上开孔作为输入/输出端。