[发明专利]一种穿通结构的可控硅芯片及其生产方法

摘要

一种穿通结构的可控硅芯片及其生产方法，涉及半导体器件的制造技术领域，将硅片经氧化处理、双面光刻穿通隔离窗口、对双面光刻穿通隔离窗口区域进行腐蚀、清洗、穿通隔离区硼掺杂扩散、P1、P2区硼扩散、光刻N+阴极区、N⁺区磷扩散、光刻环形台面沟槽窗口、腐蚀台面沟槽、钝化台面沟槽等步骤，取得穿通结构的可控硅芯片。在双面光刻穿通隔离窗口时，正面光刻的穿通隔离窗口宽度小于反面光刻的穿通隔离窗口宽度。采用在穿通隔离区的正、反两面不同宽度的腐蚀沟槽的设计方式，正面相对于反面窄的方式，缩短穿通扩散时间，提高硅片的利用率。

主权项

1.一种穿通结构的可控硅芯片，包括设置在N‑型硅片的正反两面的P2扩散区和P1扩散区，在芯片的四周环绕设置穿通隔离区，在朝向芯片正面和反面的穿通隔离区的外缘分别设有正面腐蚀沟槽和反面腐蚀沟槽；在朝向芯片正面的P2扩散区表面分别设有N+扩散区和P2门极电极，在穿通隔离区内侧、且在P2门极电极和N+阴极电极的外侧的芯片正面设置环形钝化沟槽；在芯片反面的P1扩散区和穿通隔离区的表面分别设置阳极电极；在N+扩散区的外表面设置N+阴极电极；在芯片正面的P2扩散区和穿通隔离区的表面分别设置SiO2保护区；其特征在于：所述正面腐蚀沟槽的宽度小于反面腐蚀沟槽的宽度；所述朝向芯片正面的穿通隔离区的表面宽度小于朝向芯片反面的穿通隔离区的表面宽度。