[发明专利]评测发光二极管内量子效率的方法有效
| 申请号： | 201811156093.1 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109212402B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;糜陈子仪;金杰;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管内量子效率测量方法，包括测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值；根据全电流区间的外量子效率，除以光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。通过本发明的小电流区域测量的光提取效率，可扩展在全电流区间，容易求出全电流区间的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 评测 发光二极管 量子 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管内量子效率测量方法，其特征在于包括：测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值，该比值即为全电流区间的光提取效率；根据全电流区间的外量子效率，除以所述光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。
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