[发明专利]量子点及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811156839.9 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN110964528B 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 聂志文;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点,包括III‑V族量子点核和结合在所述III‑V族量子点核表面的表面配体,所述表面配体的化学结构通式如式I所示:其中R1和R2分别独立选自卤素原子、氢原子、羟基、巯基、醚基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、硝基、氨基、氰基、异氰基、环氧基、烷氧基、烷基碳酰氧基、烷基氧碳酰基、烷基碳酰基、杂芳基和烃基中的至少一种。该表面配体结合在III‑V族量子点核表面非常有助于壳层的均一生长,从而使量子点尺寸分布变得更加均匀,最终有利于提高量子点的发光效率。
搜索关键词: 量子 及其 制备 方法
【主权项】:
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