[发明专利]磁传感器及位置检测装置有效

专利信息
申请号: 201811157463.3 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109725269B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 内田圭祐;梅原刚;须藤俊英;平林启 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06;G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及磁传感器及位置检测装置。位置检测装置具备产生第一磁场的第一磁场产生部、产生第二磁场的第二磁场产生部、磁传感器。第二磁场产生部相对于第一磁场产生部的位置可变化。磁传感器生成与基准平面内的检测位置上的对象磁场的方向对应的检测信号。对象磁场是平行于基准平面的第一及第二磁场各自的成分即第一磁场成分和第二磁场成分的合成磁场。磁传感器具有包含自由层和磁化固定层的磁阻效应元件。在基准平面内,与磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与第一磁场成分的方向和第二磁场成分的方向的任一方向均不同。
搜索关键词: 传感器 位置 检测 装置
【主权项】:
1.一种位置检测装置,其特征在于,具备:第一磁场产生部,其产生第一磁场;第二磁场产生部,其设置为相对于所述第一磁场产生部的相对的位置能够变化,且产生第二磁场;及磁传感器,其生成与基准平面内的检测位置上的检测对象磁场的方向对应的检测信号,所述磁传感器包含至少一个磁阻效应元件,所述至少一个磁阻效应元件包含:磁化固定层,其具有方向被固定的磁化;及自由层,其具有方向根据所述检测对象磁场的方向而能够变化的磁化,所述基准平面是包含所述磁化固定层的磁化的方向及所述检测对象磁场的方向的平面,将所述检测位置上的与所述基准平面平行的所述第一磁场的成分设为第一磁场成分,且将所述检测位置上的与所述基准平面平行的所述第二磁场的成分设为第二磁场成分时,所述第二磁场产生部相对于所述第一磁场产生部的相对的位置进行变化时,所述第一磁场成分的强度及方向和所述第二磁场成分的方向不发生变化,而所述第二磁场成分的强度变化,所述检测对象磁场是所述第一磁场成分和所述第二磁场成分的合成磁场,在所述基准平面内,与所述磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与所述第一磁场成分的方向和所述第二磁场成分的方向的任一方向均不同。
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