[发明专利]一种LED光源及其制备方法、背光源、显示装置有效
| 申请号： | 201811157674.7 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109301056B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰;尤杨;杨瑞智;赵合彬;石广东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开一种LED光源及其制备方法、背光源、显示装置，其中，LED光源包括：LED芯片；层叠于所述LED芯片出光面上的至少两层量子点激发层；其中，远离所述LED芯片的量子点激发层中的量子点浓度大于靠近所述LED芯片的量子点激发层中的量子点浓度。上述LED光源，可以防止量子点产生团簇失效问题，并且，能够最大限度减少LED芯片工作温度对量子点的影响，保持量子点的高效率，而且各激发层中的量子点都能够得以高效激发；因此，该LED光源中的量子点发光效率较高，从而可以提高LED光源的显色性和饱和性，拓宽色域，进而改善照明和显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 光源 及其 制备 方法 背光源 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种LED光源，其特征在于，包括：LED芯片；层叠于所述LED芯片出光面上的至少两层量子点激发层；其中，远离所述LED芯片的量子点激发层中的量子点浓度大于靠近所述LED芯片的量子点激发层中的量子点浓度。
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