[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811157847.5 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109346577B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；所述周期结构还包括铺设在所述量子阱和所述量子垒之间的多个金属纳米粒。本发明通过在量子阱的表面铺设多个金属纳米粒，注入有源层的电子与量子阱中电子和空穴复合产生的光子在金属纳米粒的表面相互作用，使得多个金属纳米粒起到表面等离激元的作用，可以增加量子阱中电子和空穴的复合发光效率，提升整个LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；其特征在于，所述周期结构还包括铺设在所述量子阱和所述量子垒之间的多个金属纳米粒。
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