[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置有效
| 申请号： | 201811158551.5 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300991B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王治;关峰;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置，其中，薄膜晶体管包括依次层叠的有源层和源漏电极层，其中：所述有源层为多晶硅层；所述源漏电极层包括由非晶硅层和N型重掺杂非晶硅层交替层叠组成的过渡层、以及位于所述过渡层上的金属层；所述过渡层中，与所述有源层电接触的一层为非晶硅层，与所述金属层电接触的一层为N型重掺杂非晶硅层。上述薄膜晶体管，可以避免热载流子效应过大，并且，过渡层中的交替叠层结构将大势垒变成了若干个小势垒，进而，可以使开态电流(I |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括依次层叠的有源层和源漏电极层，其中：所述有源层为多晶硅层；所述源漏电极层包括由非晶硅层和N型重掺杂非晶硅层交替层叠组成的过渡层、以及位于所述过渡层上的金属层；所述过渡层中，与所述有源层电接触的一层为非晶硅层，与所述金属层电接触的一层为N型重掺杂非晶硅层。
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