[发明专利]低功耗轨到轨衬底驱动比较器在审

专利信息
申请号: 201811158839.2 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109546996A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及集成电路领域,为提出一种低功耗轨到轨衬底驱动比较器,在电源电压较低以保证低功耗的同时,能够轨到轨输入以保证较大的输入摆幅,以用于能量收集系统。为此,本发明采取的技术方案是,低功耗轨到轨衬底驱动比较器,结构如下:PMOS管Min+的衬底是正输入端IN+,其栅极和漏极接地,源极接PMOS管M1的漏极,M1的栅漏极相连,源极接电源VDD,M1的栅极接PMOS管M2和M3的栅极,M2源极接VDD,漏极接NMOS管M4的漏极、栅极和NMOS管M5的栅极,M4和M5的源极接地,M5的漏极命名为diff并接到PMOS管M6的漏极。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。
搜索关键词: 漏极 低功耗 衬底 驱动比较器 源极 集成电路领域 集成电路设计 能量收集系统 电源电压 输入摆幅 源极接地 正输入端 接地 栅漏 电源 保证 应用 制造
【主权项】:
1.一种低功耗轨到轨衬底驱动比较器,其特征是,结构如下:PMOS管Min+的衬底是正输入端IN+,其栅极和漏极接地,源极接PMOS管M1的漏极,M1的栅漏极相连,源极接电源VDD,M1的栅极接PMOS管M2和M3的栅极,M2源极接VDD,漏极接NMOS管M4的漏极、栅极和NMOS管M5的栅极,M4和M5的源极接地,M5的漏极命名为diff并接到PMOS管M6的漏极,M6源极接VDD,M6栅极接PMOS管M7的栅极和PMOS管M8的栅极和漏极,M7和M8的源极接电源VDD,M8的漏极接PMOS管Min‑的源极,Min‑的栅极和漏极接地,衬底是负输入端IN‑,M7的漏极接NMOS管M10的栅极、漏极和NMOS管M9的栅极,M9和M10的源极接地,M9的漏极接M3的漏极,diff节点,即M5和M6的漏极,接两个串联的缓冲器,得到正输出端OUT+;后一个缓冲器接到反相器,得到负输出端OUT‑。
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