[发明专利]薄膜晶体管及其异质结有源层的制作方法有效
| 申请号： | 201811160267.1 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110970308B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 邵霜霜;梁坤;罗慢慢;赵建文;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管及其异质结有源层的制作方法，所述异质结有源层的制作方法通过在前沟道层墨水中加入润湿剂，在衬底上喷涂该混合墨水进行喷墨打印前沟道层，提高了制得的前沟道层的表面的润湿度，使得后续利用喷墨打印工艺在所述前沟道层上制作后沟道层时，减小了喷涂到所述前沟道上的后沟道层墨水的接触角，所述后沟道层墨水可以精准地铺展在前沟道层表面的指定范围内，所述后沟道层墨水在前沟道层的表面上分布致密而均匀，形成与所述前沟道层高度重合的后沟道层，有效地提高了所述异质结有源层的载流子迁移率，进而提高了包括所述异质结有源层的薄膜晶体管的性能和稳定性，有利于工业化的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 异质结 有源 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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