[发明专利]一种超低介电损耗钙镁硅系微波介质陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201811160601.3 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109320225A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 肖谧;韦艳双 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/22 | 分类号： | C04B35/22;C04B35/20;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超低介电损耗的钙镁硅系微波介质陶瓷的制备方法，其化学组成为Ca2MgSi2O7。该微波介质陶瓷的制备方法为：将CaCO3、MgO和SiO2按照化学表达式中的化学计量比进行配料、球磨、烘干、过筛；将制得的粉料焙烧后，再二次球磨、烘干，干燥后加粉料15％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，压制成坯体；坯体在排蜡时于550℃保温3h，之后以5℃/min的速率升温至1260～1320℃烧结，保温4小时，制得超低介电损耗的钙镁硅系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了介电损耗低至1.24×10‑4，品质因数为8015.94GHz，介电常数为9.8641的微波介质陶瓷，可应用于微波电路中的介质基板材料。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 微波介质陶瓷 超低介电 钙镁 硅系 制备 烘干 粉料 保温 焙烧 发明制备工艺 介质基板材料 微波介质材料 化学表达式 化学计量比 重量百分比 石蜡 二次球磨 化学组成 介电常数 介电损耗 品质因数 微波电路 烧结 成坯体 过筛 目筛 排蜡 坯体 球磨 造粒 压制 应用 成功 | ||
【主权项】：
1.一种超低介电损耗钙镁硅系微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将CaCO3、MgO、SiO2作为原料，按化学式Ca2MgSi2O7进行配料，将粉料放入球磨罐中，加入去离子水及氧化锆球，球磨8小时；(2)将步骤(1)球磨后的原料置于110℃烘干，待原料烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)得到的混合均匀的粉料装入坩埚后在1200℃下预烧4小时；(4)在步骤(3)预烧后的粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，二次球磨8小时，并于110℃温度烘干；烘干后在粉料中外加粉料15％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，再压制成坯体；(5)将步骤(4)得到的坯体以5℃/min的速率升温至550℃，然后在550℃下保温90‑300min排蜡，之后以5℃/min的速率升温至1260～1320℃烧结，保温4小时，制得超低介电损耗的钙镁硅系微波介质陶瓷。
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