[发明专利]一种驱动电路在审
申请号: | 201811164487.1 | 申请日: | 2018-10-05 |
公开(公告)号: | CN109474270A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 齐盛 | 申请(专利权)人: | 杭州展虹科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种驱动电路。一种驱动电路包括第一或非门、第一反相器、第一与非门、第二反相器、第一PMOS管和第一NMOS管。利用本发明提供的驱动电路,在提高输出驱动能力的前提下所占用的面积大大降低。 | ||
搜索关键词: | 驱动电路 反相器 输出驱动能力 或非门 与非门 占用 | ||
【主权项】:
1.一种驱动电路,其特征在于:包括第一或非门、第一反相器、第一与非门、第二反相器、第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一或非门的一输入端接输入VIN,另一输入端接所述第二反相器的输出端和所述第一NMOS管的栅极,输出端接所述第一反相器的输入端;所述第一反相器的输入端接所述第一或非门的输出端,输出端接所述第一PMOS管的栅极和所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接输入VIN,另一输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一PMOS管的栅极,输出端接所述第二反相器的输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第一或非门的一输入端和所述第一NMOS管的栅极;所述第一PMOS管的栅极接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,漏极接所述第一NMOS管的漏极并作为输出端VOUT,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极接所述第一或非门的一输入端和所述第二反相器的输出端,漏极接所述第一PMOS管的漏极并作为输出端VOUT,源极接地。
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