[发明专利]温度检测电路

摘要

本发明公开了一种温度检测电路。温度检测电路包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管。利用本发明提供的温度检测电路，输出信号能够随着温度变化，对相应的电路进行关断。

主权项

1.温度检测电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，发射极接所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第二NPN管的发射极，另一端接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第三NPN管的基极，另一端接地；所述第一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地；所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三NPN管的集电极和所述第一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三NPN管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地。