[发明专利]一种振荡电路在审
申请号: | 201811164641.5 | 申请日: | 2018-10-06 |
公开(公告)号: | CN109546967A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 周宇坤 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种振荡电路。一种振荡电路包括第一电阻、第二电阻、第一PNP管、第一NPN管、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NPN管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第三NPN管、第四NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第四NPN管、第六NMOS管、第四PMOS管和第七NMOS管。电源电压升高时,第一PNP管的发射极电流增加,增加的电流使得第一电阻压降增加,增加的电流会通过第一PNP管的发射极流到地,流过第二电阻上的电流不会增加,使得流过第一NPN管发射极电流不会增加,这样电容的放电电流就不受电源电压影响,即是振荡频率不受电源电压影响。 | ||
搜索关键词: | 电源电压 振荡电路 电阻 发射极电流 电阻压降 放电电流 振荡频率 发射极 电容 升高 | ||
【主权项】:
1.一种振荡电路,其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第一PNP管、第一NPN管、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NPN管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第三NPN管、第四NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第四NPN管、第六NMOS管、第四PMOS管和第七NMOS管;所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的发射极,另一端接所述第一PNP管的基极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极;所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极,集电极接地,发射极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极,发射极接地;所述第一PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第二NPN管的集电极;所述第二NPN管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极,集电极接所述第一NMOS管的源极,发射极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极,漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极,源极接所述第三NPN管的集电极;所述第三NPN管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第四NPN管的基极,集电极接所述第三NMOS管的源极,发射极接地;所述第四NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第五NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第四NPN管的集电极;所述第四NPN管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极,集电极接所述第五NMOS管的源极,发射极接地;所述第六NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地; 所述第四PMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接电源电压VCC;所述第七NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接地。
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