[发明专利]一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201811165316.0 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN110970518B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 卢双豪;梁赟;朱唐 | 申请(专利权)人: | 北京梦之墨科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02;H01L31/0465;H01L31/18 |
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地址: | 100081 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法,涉及低熔点金属技术领域。本发明提供的低熔点金属器件的制作方法包括:提供一封装薄膜和一基材;在所述封装薄膜上制作低熔点金属图案;将制作有所述低熔点金属图案的所述封装薄膜与所述基材复合;其中,所述封装薄膜上制作有所述低熔点金属图案的一面朝向所述基材。本发明的技术方案能够不受基材与低熔点金属之间的粘附性的限制,制作低熔点金属器件,有利于扩展低熔点金属的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 熔点 金属 器件 制作方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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