[发明专利]一种用于电子装置的布线结构在审
| 申请号： | 201811166357.1 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109411447A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 顾四观 | 申请（专利权）人： | 嘉兴市志华机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314011 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电子装置的布线结构，属于布线结构技术领域。所述一种用于电子装置的布线结构，包括：第一导电材料层、在所述第一导电材料层上的籽晶层以及直接生长在所述籽晶层上的纳米晶石墨烯层，所述第一导电材料层是金属层；所述籽晶层是金属‑碳键合层，并且所述籽晶层具有等于或小于1nm的厚度。其有益效果在于，纳米晶石墨烯直接生长在用于布线结构的籽晶层上，因而，可以实现具有关于金属表面的高粘合强度并具有降低的布线电阻的布线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 布线结构 籽晶层 导电材料层 电子装置 直接生长 纳米晶 布线电阻 金属表面 石墨烯层 金属层 石墨烯 碳键合 粘合 金属 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子装置的布线结构，其特征在于，包括：第一导电材料层、在所述第一导电材料层上的籽晶层以及直接生长在所述籽晶层上的纳米晶石墨烯层，其中：所述第一导电材料层是金属层；所述籽晶层是金属‑碳键合层，并且所述籽晶层具有等于或小于1nm的厚度；所述纳米晶石墨烯层具有以下至少之一：小于所述第一导电材料层的厚度的20％的厚度、等于或大于0.05的拉曼光谱的2D/G比值、等于或小于2的D/G比值、以及等于或大于1nm的晶体尺寸。
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