[发明专利]一种超净界面异质结的制备方法及应用

摘要

本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5‑100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。

主权项

1.一种超净界面异质结的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一金属箔材；在所述金属箔材上制备大单晶石墨烯薄膜；将所述石墨烯薄膜转移到多孔基底上，所述转移的方法为无高聚物辅助的洁净转移方法；在所述石墨烯薄膜表面上生长钙钛矿材料以形成超净界面异质结；其中，在所述石墨烯薄膜表面上生长钙钛矿材料包括：使所述石墨烯薄膜漂浮在钙钛矿溶液的表面上，所述石墨烯薄膜底面与钙钛矿溶液相接触，从而确保钙钛矿只在石墨烯薄膜的其中一面单面生长，其中，所述石墨烯薄膜为网格状。