[发明专利]半导体异质结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201811166561.3 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009579A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 唐军;陶淳;齐胜利;潘尧波;纪攀峰;沈波;杨学林 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体异质结构及半导体器件，所述半导体异质结构包括，衬底；成核层，设置于衬底上；缓冲层，缓冲层至少包括一第一缓冲层和一第二缓冲层，第一缓冲层设置于成核层上，第二缓冲层，设置于第一缓冲层上；一沟道层，设置于第一缓冲层上；以及一势垒层，设置于沟道层上；其中，第一缓冲层具有第一掺杂浓度，第二缓冲层具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。利用本发明，在半导体异质结构中引入至少两种不同掺杂浓度缓冲层，可同时兼顾高阻缓冲层电阻率与沟道层晶体质量的要求，不仅制备简单，而且可大幅降低沟道层的缺陷密度，提高半导体异质结构的晶体质量，改善其电流崩坍效应，可应用于低成本的高频、高功率器件的研制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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