[发明专利]半导体异质结构及半导体器件在审
申请号: | 201811166561.3 | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN111009579A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 唐军;陶淳;齐胜利;潘尧波;纪攀峰;沈波;杨学林 | 申请(专利权)人: | 合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供半导体异质结构及半导体器件,所述半导体异质结构包括,衬底;成核层,设置于衬底上;缓冲层,缓冲层至少包括一第一缓冲层和一第二缓冲层,第一缓冲层设置于成核层上,第二缓冲层,设置于第一缓冲层上;一沟道层,设置于第一缓冲层上;以及一势垒层,设置于沟道层上;其中,第一缓冲层具有第一掺杂浓度,第二缓冲层具有第二掺杂浓度,第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。利用本发明,在半导体异质结构中引入至少两种不同掺杂浓度缓冲层,可同时兼顾高阻缓冲层电阻率与沟道层晶体质量的要求,不仅制备简单,而且可大幅降低沟道层的缺陷密度,提高半导体异质结构的晶体质量,改善其电流崩坍效应,可应用于低成本的高频、高功率器件的研制。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】:
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