[发明专利]一种半导体异质结构制备方法及其用途在审
| 申请号： | 201811166674.3 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009468A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 纪攀峰;沈波;杨学林;冯玉霞;唐军;陶淳;齐胜利;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体异质结构制备方法及其用途，所述制备方法包括，提供一衬底；于衬底上形成一成核层；于成核层上形成第一缓冲层；于第一缓冲层上形成第二缓冲层；于第一缓冲层上形成一沟道层；于沟道层上形成一势垒层，势垒层和沟道层构成异质结构；其中，第一缓冲层具有第一掺杂浓度，第二缓冲层具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。利用本发明，在半导体异质结构中引入至少两种掺杂浓度缓冲层，能同时兼顾高阻缓冲层电阻率与沟道层晶体质量的要求，不仅制备简单，而且可大幅降低沟道层的缺陷密度，提高半导体异质结构的晶体质量，改善器件击穿电压和电流崩坍效应，可应用于低成本的高频、高功率器件的研制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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