[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的掺杂方法有效
| 申请号： | 201811166785.4 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009473B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张冲;王雪戈 | 申请（专利权）人： | 鸿翌科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/383 | 分类号： | H01L21/383;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人： | 申婕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的的掺杂方法，在衬底沉积背电极；在所述衬底用于形成所述铜铟镓硒光吸收层的一侧，沿所述衬底卷绕的方向设置第一蒸发部和第二蒸发部，其中，所述第一蒸发部由铜蒸发源、铟蒸发源、镓蒸发源和硒蒸发源组成，所述第二蒸发部由氟化钾蒸发源组成，所述第二蒸发部与所述第一蒸发部间隔预设距离；对所述衬底进行放卷和收卷操作，以使得：所述衬底移动至所述第一蒸发部，控制所述第一蒸发部蒸发，在所述背电极沉积形成铜铟镓硒光吸收层；以及所述衬底移动至所述第二蒸发部，控制所述第二蒸发部蒸发，以在所述铜铟镓硒光吸收层上沉积氟化钾。这样可以提升铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 太阳能电池 光吸收 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
