[发明专利]一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201811167006.2 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109192350B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘红梅;尉国栋 | 申请（专利权）人： | 山西大同大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 太原九得专利代理事务所(普通合伙) 14117 | 代理人： | 高璇 |
| 地址： | 037009 山西省大同*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池，包括：碳化硅单晶衬底、碳化硅一维纳米线阵列、肖特基接触电极、欧姆接触电极和放射源层；碳化硅一维纳米线阵列位于碳化硅单晶衬底的正面，碳化硅一维纳米线阵列具有N型掺杂区域；肖特基接触电极包括势垒金属层和N型掺杂区域，势垒金属层的表面形状为叉指状；欧姆接触电极位于碳化硅单晶衬底的背面；放射源层位于所述势垒金属层的上方；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 材料 肖特基 微型 核电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池，其特征在于：包括：碳化硅单晶衬底101、碳化硅一维纳米线阵列(102)、肖特基接触电极(103)、欧姆接触电极(104)和放射源层(105)；所述碳化硅一维纳米线阵列(102)位于所述碳化硅单晶衬底(101)的正面，且所述碳化硅一维纳米线阵列(102)具有N型掺杂区域(1031)，且所述N型掺杂区域(1031)至少包括所述碳化硅一维纳米线阵列(102)的上部区域；所述肖特基接触电极(103)包括势垒金属层(1032)和所述N型掺杂区域(1031)，所述势垒金属层(1032)的表面形状为叉指状，且所述势垒金属层(1032)位于所述N型掺杂区域(1031)的上方；所述欧姆接触电极(104)位于所述碳化硅单晶衬底(101)的背面；所述放射源层(105)位于所述势垒金属层(1032)的上方。
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