[发明专利]具几何结构的二维半导体及形成方法有效
| 申请号： | 201811167013.2 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009452B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨东翰;韩羽唯;张锌权;陈奕彤;李奕贤 | 申请（专利权）人： | 李奕贤 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 孙艳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市光复*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具几何结构的二维半导体的形成方法，其包含下列步骤：形成纳米层；将设置二维材料于一基板上；形成媒介层于二维材料上；自基板上转移媒介层与二维材料至该纳米层；去除媒介层，使该二维材料留在该纳米层的表面上。通过具几何结构的二维半导体的形成方法，利用纳米微结构来提升并控制二维材料在场发射效应及光子激发效率上。 | ||
| 搜索关键词： | 几何 结构 二维 半导体 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李奕贤，未经李奕贤许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811167013.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
