[发明专利]固态成像器件及电子装置有效
| 申请号： | 201811167528.2 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN109616484B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 田中裕介;若野寿史;田谷圭司;永野隆史;岩元勇人;中泽圭一;平野智之;山口晋平;丸山俊介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像器件，其包括：硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
