[发明专利]薄膜晶体管基板的制作方法及其薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201811167707.6 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109545750B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈书志;陈俊吉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L29/43 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层；对所述第一金属层进行刻蚀，以形成栅极；在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层和所述栅极绝缘层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀，以形成源极、漏极以及像素电极；其中，所述第二金属层由透明导电材料制成。有益效果：将第二金属层采用透明导电金属形成，从而可直接延伸漏极电极作为像素电极，将源极、漏极和像素电极通过同一道刻蚀工艺形成，从而减少制程工序，降低生产成本、制程时间及复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括：S10、在基板上形成第一金属层；S20、对所述第一金属层进行刻蚀，以形成栅极；S30、在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；S40、在所述栅极绝缘层上形成半导体层；S50、在所述半导体层和所述栅极绝缘层上形成第二金属层；S60、对所述第二金属层进行刻蚀，以形成源极、漏极以及像素电极；其中，所述第二金属层由透明导电材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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