[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

摘要

本发明公开一种瞬态电压抑制器及其制作方法，该制作方法通过刻蚀第一导电类型的衬底并形成位于所述衬底内的正向沟槽；在所述正向沟槽内填充介质层；从所述衬底的侧表面刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成延伸至所述介质层的侧向沟槽；在所述侧向沟槽内生长第二导电类型的外延层；在所述衬底的上表面和下表面分别覆盖第一金属层和第二金属层，从而形成瞬态电压抑制器。本发明所述制作方法制备得到的瞬态电压抑制器具有双向保护功能，且使用该方法制作瞬态电压抑制器，不仅成本低，而且制作周期短。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供第一导电类型的衬底，从所述衬底的上表面刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成正向沟槽；S2：在所述正向沟槽内填充介质层；S3：在所述衬底的上表面和下表面及所述衬底的侧表面的边缘铺设光刻胶层，同时预留所述侧表面的中间区域并形成侧向窗口，从所述侧向窗口刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成延伸至所述介质层的侧向沟槽；S4：在所述侧向沟槽内填充第二导电类型的外延层；S5：在所述衬底的下表面和上表面分别覆盖第一金属层和第二金属层。