[发明专利]一种LDMOS及其制造方法

摘要

本发明涉及一种LDMOS及其制造方法，通过在衬底注入形成一个杂质总量自左向右逐渐递减的第一埋层，在后续扩散过程中，第一埋层左侧区域因杂质向外延层上方扩散，外延层左侧的有效结深变浅，N型杂质变少，LDMOS源漏之间施加反向偏压时，左侧外延层区域更容易被耗尽，随着反偏电压的增大，外延层区域内的耗尽线迅速向右侧扩展，从而起到降低此区域峰值电场的作用，而在第一埋层的右侧区域结深逐渐变浅，P型杂质逐渐变少，则P型区域的耗尽线会快速向浓度相对较淡的衬底区域延伸，从而使得漂移区的电场强度迅速降低，提升漂移区的耐压能力，使得器件不会在垂直方向内过早被击穿。

主权项

1.一种LDMOS，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一埋层，所述第一埋层自所述衬底边缘到所述衬底内部呈大小递减的锥形结构；第二导电类型的外延层，所述外延层生长于所述衬底上表面；第一导电类型的体区，所述体区与所述第一埋层连接；第二导电类型的第二埋层，所述第二埋层注入形成于所述外延层与所述体区相反的一端；场氧化层，所述场氧化层形成于所述外延层之上；栅氧化层，所述栅氧化层形成于所述外延层上表面并不覆盖所述场氧化层；第二导电类型的源极注入区，所述源极注入区注入形成于所述体区；第二导电类型的漏极注入区，所述漏极注入区注入形成于所述第二埋层；第一导电类型的接触区，所述接触区注入形成于所述体区，所述接触区与所述源极注入区相连；多晶硅栅，所述多晶硅栅由生长于所述栅氧化层以及所述场氧化层之上的多晶硅层刻蚀形成，所述多晶硅栅覆盖部分所述场氧化层以及所述体区；多个多晶硅场环，所述多晶硅场环由生长于所述栅氧化层以及所述场氧化层之上的多晶硅层刻蚀形成，所述多晶硅场环等距覆盖在所述场氧化层之上；电介质隔离层，所述电介质隔离层生长于所述栅氧化层、所述场氧化层、所述多晶硅栅以及所述多晶硅场环上表面；第一源极接触孔，所述第一源极接触孔刻蚀贯穿所述电介质隔离层至所述源极注入区和所述接触区，所述第一源极接触孔填充金属形成第一源极金属；第一栅极接触孔，所述第一栅极接触孔刻蚀贯穿所述电介质隔离层与所述多晶硅栅连接，所述第一栅极接触孔填充金属形成第一栅极金属；第一漏极接触孔，所述第一漏极接触孔刻蚀贯穿所述电介质隔离层至所述漏极注入区，所述第一漏极接触孔填充金属形成第一漏极金属；绝缘介质层，所述绝缘介质层生长于所述电介质隔离层之上；第二源极接触孔，所述第二源极接触孔刻蚀贯穿所述绝缘介质层至第一源极金属，所述第二源极接触孔填充金属形成第二源极金属；第二栅极接触孔，所述第二栅极接触孔刻蚀贯穿所述绝缘介质层至第一栅极金属，所述第二栅极接触孔填充金属形成第二栅极金属；第二漏极接触孔，所述第二漏极接触孔刻蚀贯穿所述绝缘介质层至第一漏极金属，所述第二漏极接触孔填充金属形成第二漏极金属。