[发明专利]半导体结构以及制造方法在审
| 申请号： | 201811168488.3 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009530A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 法兰斯沃·艾贝尔 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构以及制造方法，该半导体结构包括：绝缘基板、工程化层、半导体层、绝缘结构、栅极结构、源极区域以及栅极区域。工程化层环绕绝缘基板。半导体层形成于工程化层的上方，包括第一区域以及第二区域。绝缘结构形成于半导体层之中且位于第一区域以及第二区域之间。栅极结构形成于半导体层的上方且位于第一区域。源极区域以及栅极区域形成于半导体层中且位于第一区域，其中源极区域以及漏极区域位于栅极结构的两侧。本发明的制造成本公平合理，且基板损耗可显著降低以利射频的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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