[发明专利]制造金属氧化物膜的方法和包括金属氧化物膜的显示装置在审
| 申请号： | 201811172480.4 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109666920A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 许明洙;高东均;金圣哲;金友镇;卢喆来;朴瑾禧 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/517;H01L21/02;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造金属氧化物膜的方法以及一种包括该金属氧化物膜的显示装置。所述制造金属氧化物膜的方法包括：将反应气体和金属前驱体注入室中；在等离子体OFF状态下，在基底上形成第一金属前驱体膜；在等离子体ON状态下，通过使第一金属前驱体膜氧化来形成第一子金属氧化物膜；在等离子体OFF状态下，在第一子金属氧化物膜上形成第二金属前驱体膜，其中，金属氧化物膜具有非晶相、约20纳米(nm)至约130nm的厚度以及约10至约50的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物膜 金属前驱体 等离子体 显示装置 制造 反应气体 介电常数 非晶相 注入室 基底 | ||
【主权项】：
1.一种制造金属氧化物膜的方法，所述方法包括以下步骤：将反应气体和金属前驱体注入室中；在等离子体OFF状态下，在基底上形成第一金属前驱体膜；在等离子体ON状态下，通过使所述第一金属前驱体膜氧化来形成第一子金属氧化物膜；以及在所述等离子体OFF状态下，在所述第一子金属氧化物膜上形成第二金属前驱体膜，其中，所述金属氧化物膜具有非晶相、20纳米至130纳米的厚度以及10至50的介电常数。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
