[发明专利]一种功率半导体器件热点温度估计方法和装置有效
| 申请号： | 201811173223.2 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111024260B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 石绍磊;张兴春;韩永杰;李峥;唐自强 | 申请（专利权）人： | 上海汽车集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00 |
| 代理公司： | 北京信远达知识产权代理有限公司 11304 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种功率半导体器件热点温度估计方法，计算功率半导体器件的平均功率损耗，结合该平均功率损耗，基于功率半导体器件估计的热参考点冷却水温度以及实测的热参考点冷却水温度，对热阻网络参数进行补偿；进而基于参数补偿后的热阻网络，计算功率半导体器件的平均结温以及结温波动的峰峰值，并根据计算的功率半导体器件的平均结温和结温波动的峰峰值，估计功率半导体器件的热点温度。由此保证所估计的热点温度的变化曲线为一条光滑连续、波动较小的曲线，无需逆变器在正常模式和降额控制模式之间反复切换，减少对逆变器的损耗；并且在功率半导体器件老化、冷却系统参数变化等情况下，仍能够保证所估计出的热点温度准确性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 热点 温度 估计 方法 装置 | ||
【主权项】：
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