[发明专利]III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法。所述的制作方法包括：在衬底上依次生长成核层、Alx2Ga1‑x2N层或AlN厚层以及氮化物紫外发光二极管结构，获得外延片，0≤x21；进一步地，所述的制作方法还包括：所述成核层为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N成核层或Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N与AlN复合成核层，0≤x1＜0.8、0≤y1≤1、0≤(1‑x1‑y1)≤1；和/或，在所述Alx2Ga1‑x2N层或AlN厚层中插入Alx3Iny3Ga1‑x3‑y3N薄层或复合结构插入层，0≤x3＜0.8、0≤y3≤1、0≤(1‑x3‑y3)≤1。本发明的III族氮化物紫外发光二极管具有取光效率高、位错密度低等优点，可显著增强紫外发光二极管的器件性能和寿命，且制备工艺与现有发光二极管制备工艺兼容，适于规模化生产。