[发明专利]光刻胶图案的形成方法在审

专利信息
申请号: 201811173309.5 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109782540A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 訾安仁;郑雅如;张庆裕;林进祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;G03F7/20
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光刻胶图案的形成方法,包括在形成于基底上的光刻胶层上形成保护层,且将光刻胶层选择性地曝光于光化辐射。将光刻胶层显影,以在光刻胶层中形成图案,以及去除保护层。保护层包含具有多个氟碳侧基的聚合物。
搜索关键词: 光刻胶层 保护层 光刻胶图案 光化辐射 聚合物 侧基 氟碳 基底 显影 去除 图案 曝光
【主权项】:
1.一种光刻胶图案的形成方法,包括:在形成于一基底上的一光刻胶层上形成一保护层;将该光刻胶层选择性地曝光于光化辐射;将该光刻胶层显影,以在该光刻胶层中形成一图案;以及去除该保护层,其中该保护层包含具有多个氟碳侧基的一聚合物。
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