[发明专利]引线框架的制造方法和引线框架有效
申请号: | 201811173355.5 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109671632B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 金子政裕;饭泉宁 | 申请(专利权)人: | 株式会社三井高科技 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供引线框架的制造方法和引线框架,能够抑制在分离的芯片座彼此之间产生台阶。本发明的引线框架(1)的制造方法依次包括:(A)将被加工体(80)加工成包括芯片座部的引线框架的形状的工序;(B)对被加工体(80)进行下压加工的工序;以及(C)将所述芯片座部分割而形成分离芯片座(21、22)的工序。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种引线框架的制造方法,其特征在于,依次包括:(A)将被加工体加工成包括芯片座部的引线框架的形状的工序;(B)对所述被加工体进行下压加工的工序;以及(C)将所述芯片座部分割而形成分离芯片座的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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