[发明专利]一种高容量类单晶镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811173363.X | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109449391A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘艳侠;马立彬;李晶晶;侯奥林;于天恒;张锁江;刘凡 | 申请（专利权）人： | 郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/58;H01M4/46;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 孙诗雨;张志军 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高容量类单晶镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法，包括以下步骤：1）类单晶镍钴铝酸锂前驱体的制备；2）类单晶镍钴铝酸锂正极材料的制备；3）类单晶镍钴铝酸锂正极材料的包覆改性。本发明利用大颗粒球形前驱体，通过在配锂煅烧阶段加入添加剂，降低材料的熔点，使晶粒在较低的温度下开始生长发育，最终生成小颗粒单晶形貌的正极材料，减少了单晶三元材料在制备过程中的煅烧温度和时间，从而降低了生成成本；并对类单晶镍钴铝酸锂正极材料进行含锂化合物包覆改性，降低材料表面的残碱含量，阻止电解液对材料的侵蚀，有效抑制副反应，实现改善材料性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 镍钴铝酸锂 正极材料 制备 包覆改性 高容量 煅烧 熔点 形貌 含锂化合物 球形前驱体 改善材料 三元材料 生长发育 有效抑制 制备过程 晶粒 大颗粒 电解液 副反应 前驱体 小颗粒 残碱 添加剂 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种高容量类单晶镍钴铝酸锂正极材料，其特征在于：所述的高容量类单晶镍钴铝酸锂正极材料为类单晶形貌，晶体结构为R‑3m六方层状结构，粒径为D50≤10 μm。
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